特許

J-GLOBAL ID：201003039825534407

半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法

発明者： 中里 真弓 ,  井上 恭典 ,  水原 秀樹 ,  臼井 良輔 ,  江崎 賢一 ,  長崎 寛範
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-281951
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109274
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】 信頼性の高い半導体モジュールおよび製造方法を提供する。【解決手段】 実装基板21の回路素子26は、第1の絶縁樹脂29で覆われ、シールド層22は、開口部31を介してGDNに固定されている。シールド層22は、第2の絶縁樹脂23で覆われており、接着層32と第2の絶縁樹脂を導電ペーストで実現すると、実装基板のGND電極にシールド層22を電気的に接続でできる。よってシールドが可能となる半導体モジュールが実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁処理され、その表面に導電パターンが設けられた実装基板と、 前記導電パターンの第1のパターンと電気的に接続されて設けられた半導体素子と、 前記導電パターンおよび半導体素子を覆って前記実装基板に設けられた第1の絶縁樹脂と、 前記第1の絶縁樹脂の表面に設けられ、少なくとも一部が前記第1の絶縁樹脂を通過して前記導電パターンの第2のパターンと電気的に接続されて設けられた導電材を主材料とするシールド層と、 前記シールド層、前記第1の絶縁樹脂を覆い、前記実装基板に設けられた第2の絶縁樹脂とを有する事を特徴とした半導体モジュール。

IPC (7件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (5件)：

H01L23/30 ,  H01L23/28 F ,  H01L21/56 R ,  H01L23/12 L ,  H01L25/04 Z

Fターム (17件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DB15 ,  4M109EB11 ,  4M109EE07 ,  4M109GA02 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061CB07 ,  5F061CB13 ,  5F061FA02 ,  5F061FA06