特許

J-GLOBAL ID：201003039884740819

一軸水平配向ミクロ相分離構造を有するブロック共重合体薄膜の製造方法

発明者： 新納 洋 ,  野殿 光史 ,  下中 綾子
出願人/特許権者： 三菱レイヨン株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-133967
公開番号（公開出願番号）：特開2010-279880
出願日： 2009年06月03日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

【課題】一軸水平配向ミクロ相分離構造を有するブロック共重合体薄膜を、簡単なプロセスで、大面積でも製造できる方法を提供する。【解決手段】固体基材1の表面にフッ素系高分子からなる固体材料を擦り付けて、該固体基材1の表面上に複数の筋状のフッ素系高分子層2を形成し、前記フッ素系高分子層2が形成された前記固体基材1の表面上に、互いに非相溶である2種のブロック鎖が化学的に結合したブロック共重合体を含む共重合体溶液を塗布した後、加熱処理することによりブロック共重合体薄膜3を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

固体基材の表面にフッ素系高分子からなる固体材料を擦り付けて、該固体基材の表面上に複数の筋状のフッ素系高分子層を形成する工程と、 前記フッ素系高分子層が形成された前記固体基材の表面上に、互いに非相溶である2種のブロック鎖が化学的に結合したブロック共重合体を含む共重合体溶液を塗布した後、加熱処理する工程とを有する、ブロック共重合体薄膜の製造方法。

IPC (8件)：

B05D 7/24 ,  B05D 5/00 ,  B32B 15/082 ,  B32B 27/30 ,  C09D 153/00 ,  B32B 27/28 ,  C09D 5/00 ,  C09D 127/12

FI (9件)：

B05D7/24 302L ,  B05D5/00 Z ,  B32B15/08 102B ,  B32B27/30 D ,  C09D153/00 ,  B05D7/24 302E ,  B32B27/28 ,  C09D5/00 D ,  C09D127/12

Fターム (41件)：

4D075AC49 ,  4D075BB32Y ,  4D075BB57Y ,  4D075BB60Z ,  4D075CA34 ,  4D075CB38 ,  4D075DA03 ,  4D075DA06 ,  4D075DA10 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA01 ,  4D075EB18 ,  4F100AK03K ,  4F100AK12K ,  4F100AK17B ,  4F100AK43K ,  4F100AK52K ,  4F100AL02C ,  4F100AS00A ,  4F100AS00C ,  4F100BA03K ,  4F100BA07K ,  4F100DA20K ,  4F100EC01K ,  4F100EH46K ,  4F100EK15K ,  4F100GB41K ,  4F100GB51K ,  4F100JA11C ,  4F100JG05K ,  4F100JG06K ,  4F100JM02C ,  4F100JN10K ,  4F100YY00B ,  4J038CQ001 ,  4J038NA01 ,  4J038PC08

引用特許：

出願人引用 (3件)

• パターン形成方法及びモールド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-211745   出願人：日本電信電話株式会社
• 高配向PTFEフィルムの堆積とその使用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-024137   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
• 一軸配向高分子薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-096613   出願人：株式会社クラレ