応力印加チャネル領域を有する電界効果トランジスタを備えた半導体構造の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-535279
公開番号（公開出願番号）：特表2010-508672
出願日： 2007年10月26日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

半導体構造の製造方法は、第1トランジスタ素子および第2トランジスタ素子を有する半導体基板を提供するステップを有する。前記第1トランジスタ素子は少なくとも1つの第1アモルファス領域を含み、前記第2トランジスタ素子は少なくとも1つの第2アモルファス領域を含む。前記第1トランジスタ素子の上に応力発生層が形成される。前記応力発生層は、前記第2トランジスタ素子は覆わない。第1アニールプロセスが実施される。前記第1アニールプロセスは、前記第1アモルファス領域および前記第2アモルファス領域を再結晶化させるために適合されている。前記第1アニールプロセス後に、第2アニールプロセスが実施される。前記第2アニールプロセス中は、前記応力発生層が前記基板上に残されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの第1アモルファス領域を含む第1トランジスタ素子、および少なくとも1つの第2アモルファス領域を含む第2トランジスタ素子を有する半導体基板を提供するステップと、前記第2トランジスタ素子は覆わずに、前記第1トランジスタ素子の上に応力発生層を形成するステップと、前記第1アモルファス領域および前記第2アモルファス領域を再結晶化させるために適合された第1アニールプロセスを実施するステップと、前記第1アニールプロセスの実施後に、前記第1トランジスタ素子の上に前記応力発生層を残したまま第2アニールプロセスを実施するステップとを含む、半導体構造の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 29/78 , H01L 21/20

FI (10件)：

H01L27/08 321E , H01L29/78 618Z , H01L29/78 619A , H01L29/78 627G , H01L29/78 616L , H01L29/78 616V , H01L27/08 321C , H01L27/08 331E , H01L29/78 301S , H01L21/20

Fターム (85件)：

5F048AA08 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG01 , 5F048BG03 , 5F048BG13 , 5F048DA30 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110HJ02 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK32 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP16 , 5F110PP27 , 5F110PP33 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BG09 , 5F140BH01 , 5F140BH14 , 5F140BH22 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK20 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CE18 , 5F152BB02 , 5F152CC08 , 5F152CE05 , 5F152CE32 , 5F152CE33 , 5F152CE36 , 5F152CE46 , 5F152CF02 , 5F152CF13 , 5F152CF14 , 5F152CF15 , 5F152CG02 , 5F152CG09 , 5F152CG13 , 5F152FF01 , 5F152FF11 , 5F152FF22 , 5F152FF30

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