特許
J-GLOBAL ID：201003040626333140

低書き込み電流を用いる熱支援スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気メモリ

発明者：
ロアン・リュスィアン・プルジブアニュ

ロアン・リュスィアン・プルジブアニュ について


出願人/特許権者：
クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム

クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム について


代理人 (3件)： 江崎 光史 ,  鍛冶澤 實 ,  清田 栄章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-107161
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263221
出願日： 2010年05月07日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】 低書き込み電流を用いる熱支援スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気メモリを提供する。【解決手段】 高温閾値で調整可能な第1の磁化を有する強磁性記憶層、固定された第2の磁化を有する強磁性基準層、及び強磁性記憶層と基準層との間に配置された絶縁層から形成された磁気トンネル接合部と、前記磁気トンネル接合部に電気的に接続されかつワード線を介して、制御可能な選択トランジスタと、前記磁気トンネル接合部に電気的に接続され、少なくとも書き込み電流を伝達する電流線と、を含む、熱支援切り替え(TAS)書き込み手順を備えた磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルであって、強磁性記憶層の結晶磁気異方性が、強磁性基準層の結晶磁気異方性とほぼ直角であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル。STTベースTAS-MRAMセルは、熱安定性を実現するのと同時に、低い書き込み電流密度を必要とする。【選択図】 図4b
請求項（抜粋）：
熱支援切り替え(TAS)書き込み手順を備えたスピン移動トルク(STT)ベース磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルであって、 高温閾値で調整可能な第1の磁化を有する強磁性記憶層と、固定された第2の磁化を有する強磁性基準層と、及び、前記強磁性記憶層と基準層との間に配置された絶縁層とから形成された磁気トンネル接合部と、 前記磁気トンネル接合部に電気的に接続され、かつ、ワード線を介して制御可能な選択トランジスタと、 前記磁気トンネル接合部に電気的に接続され、少なくとも書き込み電流を流す電流線と、 を備え、 前記強磁性記憶層の結晶磁気異方性が、前記強磁性基準層の結晶磁気異方性とほぼ直角であるスピン移動トルク(STT)ベース磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (26件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB90 ,  5F092BC07 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092CA22
引用特許：
審査官引用 (7件)
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