特許

J-GLOBAL ID：201003040861490554

半導体装置

発明者： 中野 佑紀
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-293361
公開番号（公開出願番号）：特開2010-171417
出願日： 2009年12月24日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】SiCにおける不純物領域に対するコンタクト配線のオーミック接合を確保しつつ、コンタクト配線の接続信頼性を向上させることのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置1において、SiCからなるエピタキシャル層3にN型不純物をドーピングすることによりソース領域13を形成する。ソース領域13には、ソース領域13とのコンタクト部分がポリシリコン層18を有し、ポリシリコン層18上にメタル層20を有するソース配線17をコンタクトさせる。一方、N型不純物がドーピングされたSiC基板2の裏面22には、裏面22とのコンタクト部分にポリシリコン層24を有し、ポリシリコン層24上にメタル層26を有するドレイン配線23をコンタクトさせる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiCからなる半導体層と、 前記半導体層に不純物をドーピングすることにより形成された不純物領域と、 前記半導体層上に形成され、前記不純物領域にコンタクトされるコンタクト配線とを含み、 前記コンタクト配線は、前記不純物領域とのコンタクト部分にポリシリコン層を有し、前記ポリシリコン層上にメタル層を有している、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652L ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 658A

Fターム (15件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD55 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-249720   出願人：日産自動車株式会社