特許
J-GLOBAL ID：201003041598615840
タンタル酸リチウム結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-015577
公開番号（公開出願番号）：特開2010-173864
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】導電率が1×10-13Ω-1・cm-1以上、9.99×10-12Ω-1・cm-1以下であり、焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法、及びタンタル酸リチウム結晶を提供する。【解決手段】タンタル酸リチウム結晶素材を還元剤と共に還元雰囲気下で熱処理することによってタンタル酸リチウム結晶を製造する製造方法において、前記タンタル酸リチウム結晶素材と前記還元剤を準備しA、C、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬B後、キュリー温度以下の温度で前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材とを重ね合わせて熱処理Dすることにより、熱処理後のタンタル酸リチウム結晶の導電率を1×10-13Ω-1・cm-1以上、9.99×10-12Ω-1・cm-1以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
タンタル酸リチウム結晶素材を還元剤と共に還元雰囲気下で熱処理することによってタンタル酸リチウム結晶を製造する製造方法において、前記タンタル酸リチウム結晶素材と前記還元剤を準備し、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬後、キュリー温度以下の温度で前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材とを重ね合わせて熱処理し、該熱処理後に前記タンタル酸リチウム結晶素材から製造されるタンタル酸リチウム結晶の導電率を1×10-13Ω-1・cm-1以上、9.99×10-12Ω-1・cm-1以下とすることを特徴とするタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/30
, C30B 33/02
, C01G 35/00
, H01L 41/187
, H01L 41/24
C30B29/30 B
, C30B33/02
, C01G35/00 C
, H01L41/18 101B
, H01L41/22 A
4G048AA04
, 4G048AB03
, 4G048AC04
, 4G048AE05
, 4G077AA02
, 4G077AB06
, 4G077BC37
, 4G077CF10
, 4G077FE07
, 4G077FE11
, 4G077HA11
, 5J097AA27
, 5J097HA01
