特許

J-GLOBAL ID：201003041869474430

三次元基板上の薄層電池積重ねの製造方法

発明者： ニーッセン,ロヒール,アー.,ハー. ,  ノッテン,ペトリュス,ハー.,エル. ,  ローゼボーン,フレッディー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (4件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重 ,  永坂 均
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-521393
公開番号（公開出願番号）：特表2010-505216
出願日： 2007年07月11日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

本発明は、三次元基板上で薄層電池積重ねを製造するための方法に関する。本発明は、さらに、そのような方法によって得られる三次元基板上の薄層電池積重ねに関する。その上、本発明は、そのような電池積重ねを含む装置に関する。本発明に従った方法は、三次元基板上に電池積重ねを製造する急速な方法を提供し、得られる製品は上級品質である。

請求項（抜粋）：

三次元基板の上に薄層電池積重ねを製造するための方法であって、 a) 少なくとも1つの前駆物質を含む流体を前記基板に塗布するステップと、 b) 前記基板及び前記基板に塗布される前記流体を減圧に晒すステップと、 c) 前記先駆物質を前記電池積重ねの層に変換するステップとを含む、 方法。

IPC (3件)：

H01M 10/058 ,  H01M 10/056 ,  H01M 6/18

FI (4件)：

H01M10/00 115 ,  H01M10/00 107 ,  H01M6/18 Z ,  H01M10/00 110

Fターム (12件)：

5H024AA02 ,  5H024BB01 ,  5H024FF23 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029AL02 ,  5H029AL03 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ11 ,  5H029CJ24