特許

J-GLOBAL ID：201003041940330801

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

発明者： 松宮 祐 ,  太宰 尚宏 ,  平野 智之 ,  塩野 大寿
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-046888
公開番号（公開出願番号）：特開2010-204187
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】環骨格中に-SO2-を有する環式基を含む構成単位、フッ素原子を含む構成単位、および前記各構成単位とは異なる構成単位であって酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)、下記一般式(a0-2)で表される構成単位(a0-2)、および、前記各構成単位とは異なる構成単位であって酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/38

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/38

Fターム (36件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BF02 ,  2H025BF09 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA11R ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BA40P ,  4J100BB12Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04T ,  4J100BC08P ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100BC83P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38