特許

J-GLOBAL ID：201003041943973398

化合物半導体基板及び該化合物半導体基板を用いた半導体装置

発明者： 佐藤 憲
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-295526
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123725
出願日： 2008年11月19日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

【課題】寄生容量が低減された化合物半導体基板及び化合物半導体装置を提供する。【解決手段】Siから構成される基板11と、基板11上に形成され、AlNから構成される第1の半導体層12とGaNから構成され鉄(Fe)がドーピングされた第2の半導体層13とを交互に積層して形成されるバッファ層14(積層構造体)と、バッファ層14上に形成され、GaNから構成される第1の成長層としてのチャネル層15と、チャネル層15上に形成され、AlGaNから構成される第2の成長層としてのバリア層16と、バリア層16上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜18と、絶縁膜18の開口を介してバリア層16上に形成されるゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dと、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の化合物半導体材料を含む第1の半導体層と前記第1の化合物半導体材料と組成の異なる第2の化合物半導体材料を含む第2の半導体層とを積層して成る積層構造体を有し、前記積層構造体が、遷移元素及びCのうち少なくとも一種類の原子を含有することを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  C23C16/34

Fターム (49件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA20 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AA18 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC20 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-248735   出願人：サンケン電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-000802   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-121602   出願人：日立電線株式会社