特許

J-GLOBAL ID：201003042575423745

半導体装置の製造方法、クリーニング制御装置及び基板処理装置

発明者： 加藤 智秀
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-267530
公開番号（公開出願番号）：特開2010-171389
出願日： 2009年11月25日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】反応管の内部及びガス供給ノズルの内壁における膜質及び膜厚に差がある場合であっても、効率良く半導体装置のクリーニングが行なえる方法を提供する。【解決手段】基板200上に膜を形成する膜形成工程と、ガス導入部の内壁に付着した第1の堆積物を除去する第1のクリーニング工程と、処理室201の内部に付着し第1の堆積物と化学組成が異なる第2の堆積物を除去する第2のクリーニング工程とを有し、第1のクリーニング工程では、ガス導入部から処理室201内に供給される第1の処理ガスの累積供給時間に応じてクリーニング条件を設定し、第2のクリーニング工程では、基板200に形成された膜の累積膜厚に応じてクリーニング条件を設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理室内に基板を搬入する基板搬入工程と、 形成する膜を構成する複数の元素のうちの少なくとも1つの元素を含み、それ単独で膜を堆積させることができる第1の処理ガスを第1のガス導入部から前記処理室内に供給し、前記複数の元素のうちの他の少なくとも1つの元素を含み、それ単独では膜を堆積させることができない第2の処理ガスを第2のガス導入部から前記処理室内に供給して、前記基板上に膜を形成する膜形成工程と、 前記処理室内から膜形成後の基板を搬出する基板搬出工程と、 前記第1のガス導入部にクリーニングガスを供給して、前記第1のガス導入部の内壁に付着した第1の堆積物を除去する第1のクリーニング工程と、 前記処理室の下部であって前記基板が載置されていない位置に接続される第3のガス導入部から前記クリーニングガスを前記処理室内に供給して、前記処理室の内部に付着し前記第1の堆積物と化学組成が異なる第2の堆積物を除去する第2のクリーニング工程と、 を有する半導体装置の製造方法であって、 前記第1のクリーニング工程では、前記第1のガス導入部から前記処理室内に供給される前記第1の処理ガスの累積供給時間に応じてクリーニング条件を設定し、 前記第2のクリーニング工程では、前記基板に形成された膜の累積膜厚に応じてクリーニング条件を設定する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/302 101H ,  C23C16/44 J ,  C23C16/455

Fターム (32件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  5F004AA15 ,  5F004BD04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC00 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許3985899号公報
  

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259083   出願人：三菱電機株式会社