特許
J-GLOBAL ID：201003042654838225
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-153226
公開番号（公開出願番号）：特開2010-171371
出願日： 2009年06月29日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：
【課題】III族窒化物系化合物半導体素子をレーザリフトオフにより歩留まり良く得る。【解決手段】青色LED1000は、導電性の支持基板200に、複数の金属の積層から成る導電層222、はんだ層(ソルダ層)50、複数の金属の積層から成る導電層122、pコンタクト電極121、主としてp型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるp型層12、発光領域L、主としてn型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるn型層11、nコンタクト電極130の積層構造を有する。絶縁性保護膜40で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、nコンタクト電極130を形成された上側から、支持基板側200側である下側に向って広がるような、傾き(順テーパ)を形成している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
異種基板をエピタキシャル成長基板として用い、III族窒化物系化合物半導体から成るエピタキシャル層の最上面に導電層を介して支持基板を接着したのち、レーザリフトオフにより前記エピタキシャル成長基板を取り除く、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、
前記エピタキシャル層を形成した前記エピタキシャル成長基板に前記支持基板を接着する前に、前記エピタキシャル成長基板に形成した前記エピタキシャル層の最上面から、前記エピタキシャル層の最下面と前記エピタキシャル成長基板との界面まで少なくとも達する第1の溝を形成する第1溝形成工程と、
前記エピタキシャル層を形成した前記エピタキシャル成長基板に前記支持基板を接着した後に、前記エピタキシャル成長基板の表面側に形成した前記第1の溝と相対する位置であって、前記エピタキシャル成長基板の裏面又は内部に、物理的加工を施す基板加工工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/32
, H01L 21/205
, H01L 21/302
H01L33/00 186
, H01L21/205
, H01L21/302 201B
5F004AA01
, 5F004AA02
, 5F004AA06
, 5F004AA16
, 5F004DB19
, 5F004EA17
, 5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA67
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045CA10
, 5F045CA11
, 5F045DA55
