特許

J-GLOBAL ID：201003043423213482

基板上に膜を形成するための方法

発明者： アワド、ヨゼフ ,  アレン、セバスティアン ,  デイヴィーズ、マイケル ,  ゴーモンド、アレクサンドレ ,  エル クハカニ、マイ アリ ,  スミラニ、リアドゥ
出願人/特許権者： シクストロン アドヴァンスド マテリアルズ、インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 高島 一 ,  土井 京子 ,  鎌田 光宜 ,  田村 弥栄子 ,  山本 健二 ,  村田 美由紀
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-551084
公開番号（公開出願番号）：特表2010-519773
出願日： 2008年02月27日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

基板上に膜を形成するための方法であって:加熱室中で固体有機シランソースを加熱し、ガス状プリカーサーを形成すること;ガス状プリカーサーを蒸着室へ移送すること;及びエネルギー源を用いてガス状プリカーサーを反応させ、基板上に膜を形成することを含む、方法。当該膜は、Si及びC並びに任意でN、O、F、B、P又はそれらの組み合わせ等の、他の元素を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に膜を形成するための方法であって: 加熱室中で固体有機シランソースを加熱し、ガス状プリカーサーを形成すること; ガス状プリカーサーを、基板を含有する蒸着室へ移送すること;及び エネルギー源を用いてガス状プリカーサーを反応させ、基板上に膜を形成すること を含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/314 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/314 A ,  H01L31/04 V

Fターム (19件)：

5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F051CA40 ,  5F051GA04 ,  5F058BA01 ,  5F058BA04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ03