特許

J-GLOBAL ID：201003043690324900

半導体ウェハ処理装置

発明者： 廣井 久美 ,  衣川 勝 ,  中川 康幸 ,  清井 明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-023726
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182797
出願日： 2009年02月04日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハ4に処理を施すための半導体ウェハ処理装置100であって、半導体ウェハ4を保持するためのウェハカセット1と、ウェハカセット1に配置された半導体ウェハ4の処理面3に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極5と、処理液7を導入可能な内部空間18を有し、かつ内部空間18に半導体ウェハ4、ウェハカセット1および対向電極5を配置可能な処理槽8と、半導体ウェハの処理面3a側の処理液7の流速が処理面3aの裏面3b側の処理液7の流速より速くなるように制御するための処理液供給口6、ポンプ17とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに処理を施すための半導体ウェハ処理装置であって、 前記半導体ウェハを保持するためのウェハカセットと、 前記ウェハカセットに配置された前記半導体ウェハの処理面に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極と、 処理液を導入可能な内部空間を有し、かつ前記内部空間に前記半導体ウェハ、前記ウェハカセットおよび前記対向電極を配置可能な処理槽と、 前記半導体ウェハの前記処理面側の処理液の流速が前記処理面の裏面側の処理液の流速より速くなるように制御するための流速制御部材とを備えた、半導体ウェハ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L21/304 642A ,  H01L21/68 N ,  H01L21/68 G ,  H01L21/304 648K ,  H01L21/304 648D ,  H01L21/306 L

Fターム (29件)：

5F031CA02 ,  5F031DA03 ,  5F031HA45 ,  5F031HA72 ,  5F031KA01 ,  5F031MA23 ,  5F031MA24 ,  5F031MA25 ,  5F043DD14 ,  5F043EE02 ,  5F043EE14 ,  5F043EE24 ,  5F157AB03 ,  5F157AB13 ,  5F157AB34 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BB02 ,  5F157BB09 ,  5F157BB61 ,  5F157CE31 ,  5F157CF04 ,  5F157CF14 ,  5F157CF46 ,  5F157CF60 ,  5F157CF62 ,  5F157CF93 ,  5F157DB02 ,  5F157DB37