半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-105173
公開番号（公開出願番号）：特開2010-258150
出願日： 2009年04月23日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】送信時における高次高調波歪の発生を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】トランジスタのオフ時の電位Vgs1を-Vantから-Vant+1に大きくすることにより、オフ状態からオン状態に遷移したトランジスタのオン抵抗Ronを小さくすることができる。言い換えれば、トランジスタのオフ時の電位Vgs1の絶対値をVantからVant-1に小さくすることにより、オフ状態からオン状態に遷移したトランジスタのオン抵抗Ronを小さくすることができる。この結果、オンしたトランジスタから発生する高次高調波歪の増加を抑制することができる。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

(a)アンテナと電気的に接続されるアンテナ端子と、 (b)送信信号が伝達される送信端子と、 (c)受信信号が伝達される受信端子と、 (d)前記送信端子と前記アンテナ端子との間に接続され、スイッチとして機能する送信用FETと、 (e)前記受信端子と前記アンテナ端子との間に接続され、スイッチとして機能する受信用FETと、 (f)前記送信用FETおよび前記受信用FETのオン/オフを制御する制御信号を入力する制御端子とを備え、前記送信用FETは、 (d1)半導体基板内に離間して形成された一対の第1ソース領域および第1ドレイン領域と、 (d2)前記第1ソース領域と前記第1ドレイン領域の間の前記半導体基板上に形成され、前記制御端子と接続された第1ゲート電極とを有し、前記受信用FETは、 (e1)前記半導体基板内に離間して形成された一対の第2ソース領域および第2ドレイン領域と、 (e2)前記第2ソース領域と前記第2ドレイン領域の間の前記半導体基板上に形成され、前記制御端子と接続された第2ゲート電極とを有し、前記送信信号を前記アンテナから送信する際には、前記制御端子から入力される前記制御信号により、前記送信用FETの前記第1ソース領域を基準とした前記第1ゲート電極の電位として、しきい値電圧よりも高い第1電位を印加して前記送信用FETをオンさせるとともに、前記受信用FETの前記第2ソース領域を基準とした前記第2ゲート電極の電位として、しきい値電圧よりも低い第2電位を印加して前記受信用FETをオフさせる一方、前記受信信号を前記アンテナから受信する際には、前記制御端子から入力される前記制御信号により、前記送信用FETの前記第1ソース領域を基準とした前記第1ゲート電極の電位として、しきい値電圧よりも低い第3電位を印加して前記送信用FETをオフさせるとともに、前記受信用FETの前記第2ソース領域を基準とした前記第2ゲート電極の電位として、しきい値電圧よりも高い第4電位を印加して前記受信用FETをオンさせるように構成されている半導体装置であって、前記第3電位の絶対値は、前記第2電位の絶対値よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H04B 1/44 , H01L 25/04 , H01L 25/18 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H03K 17/693

FI (6件)：

H01L27/04 V , H04B1/44 , H01L25/04 Z , H01L29/80 H , H01L29/80 E , H03K17/693 A

Fターム (55件)：

5F038DF01 , 5F038DF11 , 5F038DF17 , 5F038EZ01 , 5F038EZ02 , 5F038EZ05 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F102FA00 , 5F102GA01 , 5F102GA16 , 5F102GA17 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GL05 , 5F102GM06 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5J055AX05 , 5J055BX03 , 5J055BX04 , 5J055CX03 , 5J055CX24 , 5J055DX12 , 5J055DX43 , 5J055DX61 , 5J055DX72 , 5J055DX73 , 5J055DX83 , 5J055EX01 , 5J055EX02 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY21 , 5J055EZ12 , 5J055EZ13 , 5J055EZ51 , 5J055FX05 , 5J055FX12 , 5J055FX18 , 5J055FX20 , 5J055FX37 , 5J055GX01 , 5J055GX02 , 5J055GX06 , 5J055GX07 , 5K011BA01 , 5K011DA02 , 5K011DA21 , 5K011FA01 , 5K011JA01 , 5K011KA13

引用特許：

出願人引用 (4件)

高周波スイッチ回路及び高周波スイッチを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-171097 出願人：松下電器産業株式会社
スイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-353715 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体集積回路装置および高周波モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-178928 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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