特許

J-GLOBAL ID：201003044491068080

半導体ウェーハの表層高強度化方法

発明者： 足立 尚志
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-305532
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129918
出願日： 2008年11月28日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

【課題】ウェーハ表層の酸素濃度を高め、この表層の高強度化を図ることが可能な半導体ウェーハの表層高強度化方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。その後、表層を除く部分は溶融させず、表層のみを高エネルギ光の照射により溶融させる。これにより、表層に導入された酸素が表層の全域に熱拡散し、その後、これを冷却して固化させることで、表層が高酸素濃度領域部となる。その結果、ウェーハ表層の酸素濃度を高め、この表層の高強度化を図ることができる。【選択図】図1e

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハに、酸化性ガスの炉内雰囲気で1000°C以上融点以下の熱処理を施すことで、前記半導体ウェーハの表層の一部に酸素を内方拡散させる内方拡散工程と、 該内方拡散工程後、前記半導体ウェーハを1000°C以上の炉内温度で前記炉内から取り出し、該半導体ウェーハの表層を高酸素濃度領域部とする高温取り出し工程とを備えた半導体ウェーハの表層高強度化方法。

IPC (8件)：

H01L 21/223 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/22

FI (10件)：

H01L21/223 Z ,  H01L21/76 L ,  H01L21/316 S ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/265 602B ,  C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H01L21/324 X ,  H01L21/22 E

Fターム (20件)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030KA17 ,  4K030KA45 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シャロートレンチ分離構造及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-182424   出願人：株式会社東芝