特許
J-GLOBAL ID：201003044860576744

熱支援書き込み手順および低減された書き込み磁界を備えた磁気メモリ

発明者：
ロアン・リュスィアン・プルジブアニュ

ロアン・リュスィアン・プルジブアニュ について

, 
クラリス・デュクリュ

クラリス・デュクリュ について


出願人/特許権者：
クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム

クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム について


代理人 (3件)： 江崎 光史 ,  鍛冶澤 實 ,  清田 栄章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-107160
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263220
出願日： 2010年05月07日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】 熱支援書き込み手順および低減された書き込み磁界を備えた磁気メモリを提供する。【解決手段】 高温閾値で調整可能な第1の磁化を有する強磁性記憶層、固定された第2の磁化方向を有する強磁性基準層、ならびに絶縁層であって、強磁性記憶層と基準層との間に配置された絶縁層から形成された磁気トンネル接合部と、ワード線を介して、前記磁気トンネル接合部に電気的に接続され、かつ制御可能な選択トランジスタと、前記磁気トンネル接合部に電気的に接続された電流線と、を含む、熱支援切り替え(TAS)書き込み手順を備えた磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルであって、強磁性記憶層の結晶磁気異方性が、強磁性基準層の結晶磁気異方性とほぼ直角であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル。本発明のTAS-MRAMセルは、従来のTAS-MRAMセルの中で用いられる磁界より小さな磁界で書き込むことができ、電力消費が低い。【選択図】 図5a
請求項（抜粋）：
熱支援切り替え(TAS)書き込み手順を備えた磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルであって、 高温閾値で調整可能な第1の磁化を有する強磁性記憶層、 固定された第2の磁化方向を有する強磁性基準層、及び、 前記強磁性記憶層と基準層との間に配置された絶縁層から形成された磁気トンネル接合部と、 前記磁気トンネル接合部に電気的に接続されかつワード線を介して制御可能な選択トランジスタと、 前記磁気トンネル接合部に電気的に接続される電流線と、 を備え、 前記強磁性記憶層の結晶磁気異方性が、前記強磁性基準層の結晶磁気異方性とほぼ直角である磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (25件)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC06 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE04 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD24 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13
引用特許：
審査官引用 (5件)
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