ナノスケール電界効果トランジスタの構体

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二 , 下山治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-527847
公開番号（公開出願番号）：特表2010-503981
出願日： 2007年09月19日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：

本発明は、ラップゲート構造を有する縦型ナノワイヤトランジスタに関する。縦型ナノワイヤトランジスタの閾値電圧は、ナノワイヤの直径、ナノワイヤの不純物添加レベル、ナノワイヤへのヘテロ構造のセグメントの導入、ナノワイヤを取り囲むシェル構造における不純物添加、ゲートスタックの仕事関数の適応、歪み調整、誘電体材料の制御又はナノワイヤ材料の選択により制御される。異なる閾値電圧を有するトランジスタが同一の基板上に形成されることにより、直接結合フィールドロジックと同様に、閾値電圧の変化を利用する最先端回路の設計が可能になる。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの縦型ナノワイヤラップ絶縁ゲート電界効果トランジスタ(101、102)を含む半導体デバイスであって、各トランジスタは、前記トランジスタのチャネルを含む塊状ナノワイヤ(105)含み、前記トランジスタのうちの1つのトランジスタの閾値電圧は、前記トランジスタのうちの他のトランジスタの閾値電圧と異なる、こととを特徴とする半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (6件)：

H01L27/08 102B , H01L27/04 F , H01L29/78 301H , H01L27/08 102E , H01L27/08 102A , H01L29/06 601N

Fターム (47件)：

5F038DF01 , 5F038DF08 , 5F038EZ01 , 5F038EZ20 , 5F048AB04 , 5F048AC02 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB14 , 5F048BB15 , 5F048BB18 , 5F048BC15 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BD09 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048CB07 , 5F140AA01 , 5F140AB01 , 5F140AB02 , 5F140AC00 , 5F140AC02 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BB00 , 5F140BB01 , 5F140BB04 , 5F140BB13 , 5F140BB19 , 5F140BC12 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF42 , 5F140BF58 , 5F140BJ26

引用文献：

審査官引用 (1件)

Vertical High-Mobility Wrap-Gated InAs Nanowire Transistor

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