特許
J-GLOBAL ID:201003045697796487

電気接点

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-043478
公開番号(公開出願番号):特開2010-196127
出願日: 2009年02月26日
公開日(公表日): 2010年09月09日
要約:
【課題】Ni電解めっき下地膜の緻密性を向上させることができ、あるいは貴金属膜が薄くても耐食性を向上させることができる電気接点を提供する。【解決手段】表面にNi下地膜4および貴金属膜5がめっきされた電気接点1において、Ni下地膜4の下に、Niを含む微結晶めっき膜3を形成する。Ni下地膜4は、Niを含む微結晶めっき膜3の上にエピタキシャル成長することにより、微細な結晶を有する緻密膜となり、母材の拡散を抑えつつ膜厚が低減できる。電気接点のNi下地膜4の上にNiを含む微結晶めっき膜3を形成する。この微結晶めっき膜3上にめっき形成される貴金属膜5は、微細な結晶を有する緻密膜であり、貴金属膜の膜厚を低減できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
母材と、前記母材上に電解めっき形成されたNi下地膜と、前記Ni下地膜の上に電解めっき形成された貴金属膜とを有する電気接点において、 前記母材とNi下地膜との間、あるいは前記Ni下地膜と貴金属膜との間の少なくとも一方に前記Ni下地膜の結晶より小さい結晶粒で形成された微結晶膜が形成されていることを特徴とする電気接点。
IPC (4件):
C25D 7/00 ,  C25D 5/12 ,  H01R 13/03 ,  H01H 1/04
FI (4件):
C25D7/00 H ,  C25D5/12 ,  H01R13/03 D ,  H01H1/04 E
Fターム (21件):
4K024AA03 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AA15 ,  4K024AB03 ,  4K024BA09 ,  4K024BB10 ,  4K024GA07 ,  5G050AA01 ,  5G050AA03 ,  5G050AA04 ,  5G050AA11 ,  5G050AA24 ,  5G050AA29 ,  5G050AA32 ,  5G050AA34 ,  5G050AA36 ,  5G050BA08 ,  5G050CA01 ,  5G050EA09 ,  5G050FA01
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特許第6287896号

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