特許

J-GLOBAL ID：201003046382056961

フォトレジスト組成物、これを用いた金属パターンの形成方法、及び表示基板の製造方法

発明者： 朴 廷 敏 ,  李 政 洙 ,  鄭 斗 喜 ,  李 羲 國 ,  姜 ▲徳▼ 萬 ,  ▲呉▼ 世 泰 ,  孫 祥 源 ,  金 永 珍
出願人/特許権者： 三星電子株式会社 ,  AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-130224
公開番号（公開出願番号）：特開2010-020291
出願日： 2009年05月29日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】耐熱性及び接着性を向上させたフォトレジスト組成物、これを用いた金属パターンの形成方法、及び表示基板の製造方法が開示される。【解決手段】フォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂約5重量%から約50重量%、キノンジアジド系化合物約0.5重量%から約30重量%、硬化剤約0.1重量%から約15重量%及び有機溶剤を含む。これによって、鮮明なフォトレジストパターンを形成して、下部膜のパターニングの信頼性を向上させることにより、製造工程の信頼性を向上させることができる。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性樹脂5重量%から50重量%と、 キノンジアジド系化合物0.5重量%から30重量%と、 硬化剤0.1重量%から15重量%と、 有機溶剤とを含むフォトレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  G02F 1/136

FI (7件)：

G03F7/022 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/40 521 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 502R ,  G02F1/1368 ,  G03F7/004 503Z

Fターム (26件)：

2H092HA04 ,  2H092JA26 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA20 ,  2H092NA27 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096EA02 ,  2H096GA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA17 ,  2H125AE03P ,  2H125AF03P ,  2H125AF57P ,  2H125AM80P ,  2H125AN39P ,  2H125BA22P ,  2H125CA22 ,  2H125CB02 ,  2H125CC03 ,  2H125CC21