特許

J-GLOBAL ID：201003046930422262

炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者： 高橋 邦方 ,  工藤 千秋
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008000769
公開番号（公開出願番号）：WO2008-120469
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

第1および第2の主面を有する炭化珪素基板1の前記第1の主面上に形成された炭化珪素層2の少なくとも一部に不純物イオン3を注入し、不純物ドープ領域を形成する工程(A)と、前記炭化珪素層2の少なくとも上面2a、および、前記炭化珪素基板1の少なくとも第2の主面12aに耐熱性を有するキャップ層6を形成する工程(B)と、前記炭化珪素層2を所定の温度で加熱し、活性化アニール処理を行う工程(C)とを包含する炭化珪素半導体素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

第1および第2の主面を有する炭化珪素基板の前記第1の主面上に形成された炭化珪素層の少なくとも一部に不純物イオンを注入し、不純物ドープ領域を形成する工程(A)と、 前記炭化珪素層の少なくとも上面、および、前記炭化珪素基板の少なくとも第2の主面にキャップ層を形成する工程(B)と、 前記炭化珪素層を所定の温度で加熱し、活性化アニール処理を行う工程(C)と、 を包含する炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L21/265 602A ,  H01L21/265 Z ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3760688号公報