特許
J-GLOBAL ID：201003047079507124
炭化ケイ素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-089976
公開番号（公開出願番号）：特開2010-241619
出願日： 2009年04月02日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】種結晶に生じている結晶欠陥を有利に解消し、ひいては光学デバイスや電子デバイスの歩留まり向上を達成できる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して、結晶欠陥113A〜113Dを有する炭化ケイ素単結晶の種結晶111を配置し、加熱により昇華させた昇華用原料40を種結晶111の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる方法において、結晶成長に先立って、種結晶のオフ方位を変更し(a)、複数の結晶欠陥のうち、結晶欠陥113Aの位置をオフ方位の上流側に位置させる。オフ方位に従う優先成長によって、オフ方位上流側に位置している結晶欠陥113Aが消失し(b)、結晶欠陥の少ない炭化ケイ素単結晶を製造することが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、加熱により昇華させた前記昇華用原料を前記種結晶の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、
前記種結晶に生じている結晶欠陥を、オフ方位に従う優先成長によって打ち消しつつ結晶成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA06
