特許
J-GLOBAL ID：201003047726554741
半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-095084
公開番号（公開出願番号）：特開2010-244977
出願日： 2009年04月09日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】発光装置を小型化する。【解決手段】フラッシュ撮影用の発光装置は、発光用のキセノン管と、キセノン管の放電スイッチ用のIGBTと、キセノン管を放電させるためのコンデンサと、このコンデンサの充電スイッチ用のMOSFETとを備えている。この発光装置に用いられる半導体装置SM1は、前記IGBTが形成された半導体チップCP1と、前記MOSFETが形成された半導体チップCP2と、前記IGBTの駆動回路および前記MOSFETの制御回路が形成された半導体チップCP3と、それらに接続された複数のリードLDとをパッケージPAで封止したものである。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
発光用の放電管と、前記放電管に直列に接続された前記放電管の放電スイッチ用のIGBTと、前記放電管および前記IGBTの直列回路に並列に接続され前記放電管を放電させるためのコンデンサと、前記コンデンサの充電スイッチ用のMOSFETとを含む発光装置に用いられる半導体装置であって、
前記IGBTが形成された第1半導体チップと、前記MOSFETが形成された第2半導体チップと、前記IGBTの駆動回路および前記MOSFETの制御回路が形成された第3半導体チップと、前記第1、第2および第3半導体チップを封止する封止体とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
F21L 4/00
, H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 29/78
, H01L 27/088
, H01L 29/06
, H01L 21/336
, H01L 29/739
, G03B 15/02
F21L4/00 625
, H01L25/04 Z
, H01L29/78 652Q
, H01L29/78 656C
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 655F
, G03B15/02 V
