特許
J-GLOBAL ID：201003048284365983

異方性半導体膜およびその製造方法

発明者：
ラザレフ、パベル

ラザレフ、パベル について


出願人/特許権者：
カーベン セミコン リミテッド

カーベン セミコン リミテッド について


代理人 (4件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-535789
公開番号（公開出願番号）：特表2010-508677
出願日： 2007年11月06日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
本発明は、大規模集積、光、通信およびコンピュータ技術の可能性を有する、マクロエレクトロニクスならびにマイクロエレクトロニクスの分野に関し、特に、これらの分野および他の関連する分野の材料に関する。本発明では、1つ以上の固体層を備える、基板上の異方性半導体膜を提供する。
請求項（抜粋）：
基板上の異方性半導体膜であって、ほぼ平坦なグラフェン状カーボン系構造を含み伝導率の異方性を有する材料からなる、1つ以上の固体層を備え、前記層の厚みは5nm〜1000nmの範囲にある異方性半導体膜。
IPC (1件)：
H01L 21/368
FI (1件)：
H01L21/368 L
Fターム (22件)：
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AD05 ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BB01 ,  4G146BB07 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146CB16 ,  4G146CB19 ,  4G146CB26 ,  4G146CB32 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053FF02 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05
引用文献：
審査官引用 (4件)
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