特許
J-GLOBAL ID：201003048491114281
半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
磯野 道造
, 多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-097309
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251427
出願日： 2009年04月13日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】複数の半導体チップを積層した積層半導体の熱を効率よく排熱できる半導体モジュールを提供することを課題とする。【解決手段】中継基板6に実装された積層半導体2の上面2Tsに第1熱伝導性部材14を介して接続される平板状の第1ヒートスプレッダ13と、中継基板6に第2熱伝導性部材15を介して接続される第2ヒートスプレッダ12と、を備える半導体モジュール1とする。 中継基板6の基板面積は、積層半導体2の下面2Bsの面積より広く、第2ヒートスプレッダ12の伝熱面12Tsは、第1ヒートスプレッダ13の上面13Tsと略同一平面に形成される。そして、第1ヒートスプレッダ13の上面13Tsと第2ヒートスプレッダ12の伝熱面12Tsに第3熱伝導性部材16を介してヒートシンク17が接続される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップが上下方向に積層された積層半導体と、
前記積層半導体が実装される基板と、
前記積層半導体の上面に第1熱伝導性部材を介して接続され、前記積層半導体から伝熱される熱を前記積層半導体の上面の面積より広い面積に拡散する平板状の第1ヒートスプレッダと、
前記基板と第2熱伝導性部材を介して接続される第2ヒートスプレッダと、を備える半導体モジュールであって、
前記基板の基板面積は、前記積層半導体が前記基板に接する下面の面積よりも広く、
前記第2ヒートスプレッダに、前記第1ヒートスプレッダの上面と略同一平面の伝熱面が形成され、
前記第1ヒートスプレッダの上面と、前記第2ヒートスプレッダの前記伝熱面と、に第3熱伝導性部材を介してヒートシンクが接続されて、
前記積層半導体の熱が、
前記第1ヒートスプレッダを介して前記ヒートシンクに伝熱されるとともに、
前記基板及び前記第2ヒートスプレッダを介して前記ヒートシンクに伝熱されることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/36
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/36 D
, H01L25/08 Z
5F136BA04
, 5F136BB18
, 5F136BC01
, 5F136BC02
, 5F136BC03
, 5F136BC05
, 5F136DA44
, 5F136FA01
, 5F136FA82
