特許

J-GLOBAL ID：201003048627778650

シリコンウェーハおよびその製造方法

発明者： 鳥越 和尚 ,  足立 尚志 ,  浅山 英一 ,  本山 民雄 ,  永渕 暁
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-133179
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283022
出願日： 2009年06月02日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

【課題】デバイスの薄厚化によっても、充分なゲッタリング能を有するとともに、注入原子がデバイス活性層に影響を及ぼしてデバイス特性が低下することを防止可能とする。【解決手段】注入工程と、注入した注入元素の濃度がウェーハ厚さ方向においてピークとなるピーク位置を含み、かつ、注入元素の50%以上98%以下を含有するピーク層までウェーハ表面から除去する注入ピーク層除去工程と、を有し、前記注入元素濃度ピーク位置よりも深い深さ位置に対応してゲッタリング能のピークを有するゲッタリング層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハに加速エネルギー50keV以上800keV以下で注入元素を5×1019cm-3以下のピーク濃度で注入する注入工程と、 前記注入工程で注入した注入元素の濃度がウェーハ厚さ方向においてピークとなるピーク位置を含み、かつ、注入元素の50%以上98%以下を含有するピーク層までウェーハ表面から除去する注入ピーク層除去工程と、 を有し、前記注入元素濃度ピーク位置よりも深い深さ位置に対応してゲッタリング能のピークを有するゲッタリング層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L21/322 J ,  H01L27/12 B