特許

J-GLOBAL ID：201003049294289521

半導体装置の製造方法

発明者： 経田 昌幸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-134695
公開番号（公開出願番号）：特開2010-280945
出願日： 2009年06月04日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

【課題】クリーニングを原因とする腐食を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】処理室内に複数の原料を供給して基板の表面に膜を形成する膜形成工程と、前記処理室内にフッ素を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、前記クリーニング工程は、前記処理室内を第1の温度で所定時間加熱する第1の加熱工程と、前記第1の温度から第2の温度まで昇温する昇温工程と、前記処理室内を前記第2の温度で所定時間加熱する第2の加熱工程と、を含み、前記第1の温度及び前記第2の温度は500°Cから700°Cのそれぞれ所定温度である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

処理室内に複数の原料を供給して基板の表面に膜を形成する膜形成工程と、 前記処理室内にフッ素を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、 前記クリーニング工程は、前記処理室内を第1の温度で所定時間加熱する第1の加熱工程と、 前記第1の温度から第2の温度まで昇温する昇温工程と、 前記処理室内を前記第2の温度で所定時間加熱する第2の加熱工程と、を含み、 前記第1の温度及び前記第2の温度は500°Cから700°Cのそれぞれ所定温度である半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C16/44 J ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/205

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06 ,  5F045EE19