ミクロ断面加工方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：赤尾謙一郎 , 下田昭 , 小山尚人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-037310
公開番号（公開出願番号）：特開2010-190809
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。【解決手段】試料表面2aに、観察対象3が含まれる線状の断面予想位置3Lを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム20Aを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面10を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み12、12を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み14を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔16,16を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位2xに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Sを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

集束イオンビーム装置を用いて集束イオンビームを試料に照射し、試料の断面加工を行う方法であって、前記試料表面上に、観察対象が含まれる線状の断面予想位置を決定する加工予想位置決定工程と、前記断面予想位置に対して、前記集束イオンビームをその入射方向が前記試料表面に対して垂直または傾斜角を持って照射させ、前記断面予想位置の前方の位置で断面を形成する断面加工工程と、前記断面の両端部に前記集束イオンビームを照射させ、各両端部に前記断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込みを形成する側面切込み加工工程と、前記断面表面でかつ前記観察対象より深い位置に前記集束イオンビームを照射させ、前記断面予想位置より後方の位置まで延びると共に前記側面切込みに接続する底部切込みを形成する底部切込み加工工程と、前記側面切込みから前記断面予想位置に沿って前記集束イオンビームを照射させ、前記断面の両端部からそれぞれ内側に延び前記底部切込みに接続する楔を形成する楔加工工程と、前記試料の前記断面予想位置より前方の部位に衝撃を加え、前記楔で挟まれた前記断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面を形成する観察断面加工工程とを有するミクロ断面加工方法。

IPC (4件)：

G01N 1/28 , H01J 37/317 , H01J 37/31 , H01L 21/66

FI (6件)：

G01N1/28 F , H01J37/317 D , H01J37/31 , G01N1/28 G , G01N1/28 N , H01L21/66 P

Fターム (14件)：

2G052AA13 , 2G052AD32 , 2G052AD52 , 2G052EC14 , 2G052EC18 , 2G052EC22 , 2G052GA35 , 4M106AA10 , 4M106BA03 , 4M106CA38 , 4M106CA51 , 4M106DB05 , 4M106DB30 , 5C034DD09

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許2973211号公報

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