特許

J-GLOBAL ID：201003050298279618

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 島田 真一
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-204968
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040952
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】処理室内を短時間で冷却することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板処理装置10は、ウエハ1を処理する処理室12と、処理室12の外周側に設けられたヒータ39と、ヒータ39の外周側に設けられた内側壁34と、内側壁34との間に空間36を形成して設けられる外側壁35と、空間36に設けられる冷却された水冷ジャケットと、内側壁34及び外側壁35の一方と接触する接触位置と、内側壁34及び外側壁35のいずれにも接触しない非接触位置との間で水冷ジャケットを移動させる移動機構64と、移動機構64を制御するコントローラとを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記処理室の外周側に設けられ、前記処理室を加熱する発熱体と、 前記発熱体の外周側に設けられる環状の内側壁と、 前記内側壁の外周側との間に間隙を形成して設けられる環状の外側壁と、 前記間隙に設けられる冷却された環状の冷却部材と、 前記内側壁及び前記外側壁の少なくともいずれか一方と接触する接触位置と、前記内側壁及び前記外側壁のいずれにも接触しない非接触位置との間で前記冷却部材を移動させる移動機構と、 少なくとも前記移動機構を制御する制御部と、 を有する基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/46

FI (5件)：

H01L21/205 ,  H01L21/22 511A ,  H01L21/22 501A ,  C23C14/50 E ,  C23C16/46

Fターム (16件)：

4K029DA01 ,  4K029DA08 ,  4K030KA08 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AD12 ,  5F045AF01 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045DQ10 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-102011   出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (2件)

• 非単結晶シリコン系半導体膜の形成方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-118244   出願人：キヤノン株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-247092   出願人：株式会社日立国際電気