走査窓内で横に分散されたレーザパルスを用いて半導体構造を加工するためのシステム及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 松丸秀和 , 吉川明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-510383
公開番号（公開出願番号）：特表2010-530614
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

システム及び方法は、レーザ照射を用いて、半導体基板上又は半導体基板内の構造を加工する。一実施の形態においては、偏向器は、加工窓内でレーザパルスを選択的に偏向するように構成されている。加工窓は、半導体基板を走査し、複数の横方向に離間した構造の行が加工窓を同時に通過するようにする。加工窓を走査させながら、偏向器は、加工窓内で、複数の横方向に離間した行の間で、一連のレーザパルスを選択的に偏向する。このようにして、複数の構造の行を単一の走査で加工できる。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

半導体基板上又は半導体基板内の構造を加工する方法であって、加工窓内でレーザパルスを選択的に偏向するように構成された第1の偏向器に一連のレーザパルスを供給するステップと、前記加工窓が走査されるにしたがって、複数の横方向に離間した構造の行が前記加工窓を同時に通過するように前記半導体基板上で前記加工窓を走査するステップと、前記加工窓内で、前記複数の横方向に離間した行の間で、前記一連のレーザパルスを選択的に偏向するステップとを有し、第1のレーザパルスが前記横方向に離間した行の第1の行に偏向され、第2のレーザパルスが前記横方向に離間した行の第2の行に偏向され、前記第2のレーザパルスは、前記第1のレーザパルスが前記第1の行に偏向された後、100μs以内に前記第2の行に偏向される、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/82 , H01S 3/00 , B23K 26/00 , B23K 26/06

FI (4件)：

H01L21/82 F , H01S3/00 B , B23K26/00 H , B23K26/06 Z

Fターム (32件)：

4E068AH00 , 4E068CD08 , 4E068DA10 , 5F064BB02 , 5F064BB14 , 5F064FF02 , 5F064FF04 , 5F064FF27 , 5F064FF42 , 5F172AD02 , 5F172AD05 , 5F172AD06 , 5F172AE03 , 5F172AE05 , 5F172AE08 , 5F172AE09 , 5F172AF01 , 5F172AF02 , 5F172AM08 , 5F172NN13 , 5F172NN14 , 5F172NN16 , 5F172NN17 , 5F172NQ53 , 5F172NQ62 , 5F172NR02 , 5F172NR03 , 5F172NR04 , 5F172NR05 , 5F172NR12 , 5F172NR13 , 5F172ZZ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

メモリリンク処理用の走査ビーム経路の誤差の補正
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-566426 出願人：エレクトロサイエンティフィックインダストリーズインコーポレーテッド
レーザマーキング方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-363698 出願人：東レエンジニアリング株式会社
レーザ加工装置の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-041320 出願人：株式会社ニコン

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