特許
J-GLOBAL ID：201003050760984004
半導体パッケージの電磁界解析方法、電磁界解析装置及び電磁界解析プログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-263199
公開番号（公開出願番号）：特開2010-092370
出願日： 2008年10月09日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】半導体チップを搭載した半導体パッケージの電磁界解析を高精度、かつ、簡易に行う。【解決手段】半導体チップを搭載した半導体パッケージについて第一、第二のモデル化を行い、第一、第二の電磁界解析を行う。第一、第二の電磁界解析結果を合成し、半導体パッケージの電気的特性を求める。特に、半導体チップ全体を誘電体とみなしてインダクタンス解析を行い等価回路のインダクタンス成分を求め、表面に金属薄膜を有する誘電体とみなして容量解析を行い等価回路の容量成分を求め、インダクタンス解析結果と容量解析結果を合成して、等価回路を求める。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体チップを搭載した半導体パッケージに対して電磁界解析を行い前記半導体パッケージの電気的特性を求める電磁界解析方法であって、
前記半導体チップに対して第一のモデル化を行い、前記半導体パッケージについて第一の電磁界解析を行うステップと、
前記半導体チップに対して前記第一のモデル化とは異なる第二のモデル化を行い第二の電磁界解析を行うステップと、
前記第一の電磁界解析の結果と前記第二の電磁界解析の結果から、前記半導体チップを搭載した前記半導体パッケージの電気的特性を求めるステップと、
を有する半導体パッケージの電磁界解析方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G06F17/50 662G
, G06F17/50 666L
5B046AA08
, 5B046BA03
, 5B046JA10
