特許

J-GLOBAL ID：201003051013383731

半導体装置

発明者： 牛島 隆志 ,  宮城 恭輔
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-011872
公開番号（公開出願番号）：特開2010-171179
出願日： 2009年01月22日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】 IGBTとダイオードが1つの半導体基板に形成されている半導体装置であって、IGBTの短絡耐量が高いとともに、ダイオードの通電時の損失が小さい半導体装置を提供する。【解決手段】 IGBT領域とダイオード領域が形成されている半導体基板を有する半導体装置。IGBT領域には、エミッタ領域とボディ領域が半導体基板の第1表面に面しており、コレクタ領域が半導体基板の第2表面に面しているIGBTが形成されている。ダイオード領域には、アノード領域が半導体基板の第1表面に面しており、カソード領域が半導体基板の第2表面に面しているダイオードが形成されている。ダイオード領域内には、半導体基板の厚さがIGBT領域の半導体基板の厚さより薄い薄板部が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

IGBT領域とダイオード領域が形成されている半導体基板を有する半導体装置であって、 IGBT領域には、エミッタ領域とボディ領域が半導体基板の第1表面に面しており、コレクタ領域が半導体基板の第2表面に面しているIGBTが形成されており、 ダイオード領域には、アノード領域が半導体基板の第1表面に面しており、カソード領域が半導体基板の第2表面に面しているダイオードが形成されており、 ダイオード領域内に、半導体基板の厚さがIGBT領域の半導体基板の厚さより薄い薄板部が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 657D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 658G