特許
J-GLOBAL ID:201003051505076141
有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法および電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-054584
公開番号(公開出願番号):特開2010-211983
出願日: 2009年03月09日
公開日(公表日): 2010年09月24日
要約:
【課題】有機EL素子の形成領域を狭めることなく、封止層による封止性能の向上を図ることができる有機EL装置、その製造方法、およびそれを用いた電子機器を提供すること。【解決手段】有機EL装置100の素子基板10において、隔壁層外壁512が基板本体10dに対してなす角度Θ2は、隔壁層内壁511が基板本体10dに対してなす角度Θ1よりも小さい。従って、封止層60は、基板本体10dに対してなす角度Θ1が小さな隔壁層外壁512上に積層されるので、封止層60にはクラックが発生しにくい。また、隔壁層内壁511は、基板本体10dに対してなす角度Θ1が大きいため、有機EL素子80の形成領域に大きく張り出すことがない。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、
該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記隔壁層および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止層と、
を有し、
前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁は、当該隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面になっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
IPC (7件):
H05B 33/22
, H01L 51/50
, H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/04
, G09F 9/30
, H01L 27/32
FI (7件):
H05B33/22 Z
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, H05B33/12 B
, H05B33/04
, G09F9/30 309
, G09F9/30 365Z
Fターム (22件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB08
, 3K107CC21
, 3K107CC36
, 3K107CC45
, 3K107DD89
, 3K107DD97
, 3K107EE33
, 3K107EE48
, 3K107EE49
, 3K107EE50
, 3K107FF15
, 3K107GG06
, 5C094AA31
, 5C094AA42
, 5C094AA60
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA07
, 5C094FA03
引用特許:
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