特許

J-GLOBAL ID：201003051602609170

はんだ、はんだ付け方法及び半導体装置

発明者： 作山 誠樹 ,  赤松 俊也 ,  上西 啓介 ,  金児 仁史 ,  鳥居 久範
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-013893
公開番号（公開出願番号）：特開2010-167472
出願日： 2009年01月26日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】高価な元素を含まず、延性が高く且つ融点が低いPbフリーはんだ、そのはんだを用いた半導体装置及びはんだ付け方法を提供する。【解決手段】Bi含有量が45wt%乃至65wt%、Sb含有量が0.3乃至0.8wt%、残部がSn及び不可避的不純物からなるはんだを使用する。例えば180°Cの温度ではんだを溶融して電子部品と基板とを接合した後、50〜100°Cの温度まで冷却して0.5分間程度保持する。その後、室温まで冷却する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Bi含有量が45乃至65wt%、Sb含有量が0.3乃至0.8wt%、残部がSn及び不可避的不純物からなることを特徴とするはんだ。

IPC (6件)：

B23K 35/26 ,  C22C 12/00 ,  C22C 13/02 ,  B23K 1/00 ,  B23K 31/02 ,  H05K 3/34

FI (11件)：

B23K35/26 310C ,  B23K35/26 310A ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  B23K1/00 330E ,  B23K1/00 310C ,  B23K1/00 310B ,  B23K31/02 310H ,  H05K3/34 512C ,  H05K3/34 505A ,  H05K3/34 506A

Fターム (9件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB01 ,  5E319CC23 ,  5E319CC28 ,  5E319CC58 ,  5E319CC60 ,  5E319CD27 ,  5E319GG15