特許

J-GLOBAL ID：201003051837247748

有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタアレイ及び表示装置

発明者： 油谷 圭一郎
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-059343
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212587
出願日： 2009年03月12日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】インクジェット法による有機半導体層のパターン形成を歩留まり良く達成することができる有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いソース電極、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、有機半導体を第一の溶媒に溶解し、インクジェット法で滴下することで、該ソース電極と該ドレイン電極と該ゲート絶縁膜と、あるいは該ソース電極と該ドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階と、該有機半導体を可溶な第二の溶媒をインクジェット法で該島状有機半導体層に滴下し、該ソース電極と該ドレインン電極と該ゲート絶縁膜と接触する島状有機半導体層を形成する段階を含み、第二の溶媒は第一の溶媒より表面張力が低く、かつ、第二の溶媒は第一の溶媒より沸点が低い、ことを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いソース電極、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、 有機半導体を第一の溶媒に溶解し、インクジェット法で滴下することで、該ソース電極と該ドレイン電極と該ゲート絶縁膜と、あるいは該ソース電極と該ドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階と、 該有機半導体を可溶な第二の溶媒をインクジェット法で該島状有機半導体層に滴下し、該ソース電極と該ドレインン電極と該ゲート絶縁膜と接触する島状有機半導体層を形成する段階を含み、 第二の溶媒は第一の溶媒より表面張力が低く、かつ、 第二の溶媒は第一の溶媒より沸点が低い、 ことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/368 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30

FI (10件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/368 L ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 349Z

Fターム (51件)：

2H092JA24 ,  2H092KA09 ,  2H092KA18 ,  2H092KA20 ,  2H092MA10 ,  2H092NA29 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F053RR05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06