特許

J-GLOBAL ID：201003052866872810

磁気センサ及び磁界測定装置

発明者： 岩田 聡 ,  加藤 剛志 ,  綱島 滋
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-115900
公開番号（公開出願番号）：特開2010-266247
出願日： 2009年05月12日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

【課題】磁界の検出感度の高い磁気センサ及び磁界測定装置を提供する。【解決手段】半導体(シリコン)基板上にTa層を形成し、その上にCoFeB層である磁化自由層50、Cu層である導電金属層40、CoFe層である磁化固定層30、MnIr層である反強磁性層20及びアルミニウム層10、をこの順で積層した多層膜をリソグラフィで線幅30[μm]、長さ200[μm]のセンサ部70を形成する。さらに、センサ部70の、磁化自由層50の磁化容易軸の方向と直角方向の両端に、幅600[μm]、長さ600[μm]の電極部60,61とを形成する。この磁気センサ5をブリッジ回路90の1辺に配置し、発振器80からブリッジ回路90に交番電流を印加し、磁化自由層の磁壁を振動的に移動させ、外部磁界に対する抵抗変化をしやすくすることにより、磁気センサ5の感度を向上させる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

磁化自由層、非磁性層、磁化固定層及び反強磁性層をこの順又はこの逆順で積層し、 前記磁化自由層の磁化容易軸の方向と同方向の成分を有する交番磁界を印加する交番磁界印加手段を備えたことを特徴とする磁気センサ。

IPC (2件)：

G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G01R33/06 R ,  H01L43/08 A ,  H01L43/08 B

Fターム (29件)：

2G017AA01 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017BA03 ,  2G017BA05 ,  2G017BA09 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD24 ,  5F092BB04 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC18 ,  5F092DA03 ,  5F092DA07