特許
J-GLOBAL ID：201003053111548440

電圧変換回路および半導体装置

発明者：
五十嵐 初日出

五十嵐 初日出 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-288845
公開番号（公開出願番号）：特開2010-119166
出願日： 2008年11月11日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：
【課題】より低い電源電圧で動作させる場合の安定性を確保する。【解決手段】電源Vbatの電圧を昇圧するためにオンオフ動作を繰り返すNMOSトランジスタNM1、NM2と、NM1をオンオフ駆動する駆動回路11と、NM2をオンオフ駆動する駆動回路12と、昇圧された電圧を平滑し平滑電圧が所定の値を超えたか否かを検知するコンパレータCMP2と、電源投入後に駆動回路11を活性化し、平滑電圧が所定の値を超えたことをコンパレータCMP2が検知した場合に駆動回路11を非活性化し駆動回路12を活性化する。NM1は、NM2よりも閾値電圧を低くなるよう構成され、ソースを接地し、ゲートに駆動回路11からのオンオフ駆動信号が供給される。ソースをNM1のドレインに接続し、ゲートに電源Vbatが供給され、ドレインをNM2のドレイン(ノードP)に接続するNMOSトランジスタNM3を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
供給される電源電圧を昇圧するためにオンオフ動作を繰り返す第1および第2のMOSFETと、 前記第1のMOSFETをオンオフ駆動する第1の駆動回路と、 前記第2のMOSFETをオンオフ駆動する第2の駆動回路と、 を備え、 昇圧された電圧を平滑して平滑電圧が所定の値を超えたか否かを検知し、電源投入後に前記第1の駆動回路を活性化し、前記平滑電圧が所定の値を超えたことを検知した場合に前記第1の駆動回路を非活性化すると共に前記第2の駆動回路を活性化する電圧変換装置であって、 前記第1のMOSFETは、前記第2のMOSFETと同一の導電型であって、前記第2のMOSFETよりも閾値電圧を低くなるよう構成され、ソースを接地し、ゲートに前記第1の駆動回路からのオンオフ駆動信号が供給され、 ソースを前記第1のMOSFETのドレインに接続し、ゲートに前記電源電圧が供給され、ドレインを昇圧のためのオンオフ駆動点に接続する、前記第1のMOSFETと同一の導電型の第3のMOSFETを備えることを特徴とする電圧変換回路。
IPC (5件)：
H02M 3/155 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (4件)：
H02M3/155 F ,  H01L27/04 G ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102B
Fターム (24件)：
5F038BB05 ,  5F038BG02 ,  5F038BG03 ,  5F038BH07 ,  5F038BH15 ,  5F038CD16 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB15 ,  5F048BB16 ,  5F048BD04 ,  5H730AS04 ,  5H730BB14 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730EE59 ,  5H730EE60 ,  5H730FD01 ,  5H730FG07 ,  5H730FG22
引用特許：
出願人引用 (4件)
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