n型及びヘテロ接合型有機薄膜トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：小野新次郎 , 社本一夫 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 松田豊治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-222746
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056476
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】π電子系の発達した平面性の高い分子骨格をもつ有機化合物の両端に、電子吸引基を導入した高性能のn型有機半導体材料を基板上の半導体層に用いた低電圧駆動の有機薄膜トランジスタ(TFT)を提供する。【解決手段】下記式で示される化合物。ここで、Xは、水素、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、又はアルキルシリルエチニル基などを表わす。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式で表わされるシン、アンチ異性体混合物を、基板上の半導体層に用いたことを特徴とするn型有機薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , C07D 495/04

FI (5件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/28 100A , C07D495/04 101

Fターム (56件)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071BB08 , 4C071CC22 , 4C071DD04 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG02 , 4C071JJ01 , 4C071KK14 , 4C071LL05 , 4H049VN01 , 4H049VP02 , 4H049VQ62 , 4H049VR24 , 4H049VU24 , 4H049VW02 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34

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