特許
J-GLOBAL ID：201003053580799933
ウエーハの処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-018127
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177430
出願日： 2009年01月29日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】半導体デバイスの抗折強度を低下させることなくゲッタリング効果が確実に得られる半導体ウエーハの処理方法を提供する。【解決手段】表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの処理方法であって、ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、裏面研削工程が実施されることによってウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去する歪層除去工程と、研削歪層が除去されたウエーハの裏面にプラズマ化した不活性ガスを照射する不活性ガス照射工程とを含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの処理方法であって、
ウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚みに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されることによってウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去する歪層除去工程と、
研削歪層が除去されたウエーハの裏面にプラズマ化した不活性ガスを照射する不活性ガス照射工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304
, H01L 21/301
H01L21/304 622P
, H01L21/304 631
, H01L21/78 L
