特許

J-GLOBAL ID：201003053706291590

ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 上村 聡 ,  樽谷 晋司
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-041379
公開番号（公開出願番号）：特開2010-197619
出願日： 2009年02月24日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定の構造を有する酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用によりネガ現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用によりネガ現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 ,  C08F 20/28 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/038 601 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/039 601 ,  C08F20/28 ,  H01L21/30 502R

Fターム (61件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025AD07 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA15 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15S ,  4J100BA40Q ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100BC58Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38 ,  4J100JA39