基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-134148
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050439
出願日： 2009年06月03日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板101が収容されるインナチューブ204と、インナチューブ204を取り囲むアウタチューブ203と、インナチューブ204内に配設されたガスノズル233a,bと、ガスノズル233a,bに開設されたガス噴出口248a,bと、ガスノズル233a,bを介してインナチューブ204内にガスを供給するガス供給ユニットと、インナチューブ204の側壁に開設されたガス排気口204a,bと、アウタチューブ203とインナチューブ204とに挟まれる空間を排気してガス噴出口248a,bからガス排気口204a,bへと向かうガス流をインナチューブ204内に生成する排気ユニットとを備え、基板の外縁とガス排気口204a,bとの間の距離が、ガス噴出口248a,bとの間の距離よりも長くなるようにインナチューブ204の側壁が構成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板が収容されるインナチューブと、前記インナチューブを取り囲むアウタチューブと、前記インナチューブ内に配設されたガスノズルと、前記ガスノズルに開設されたガス噴出口と、前記ガスノズルを介して前記インナチューブ内にガスを供給するガス供給ユニットと、前記インナチューブの側壁に開設されたガス排気口と、前記アウタチューブと前記インナチューブとに挟まれる空間を排気して前記ガス噴出口から前記ガス排気口へと向かうガス流を前記インナチューブ内に生成する排気ユニットと、を備え、前記基板の外縁と前記ガス排気口との間の距離が、前記基板の外縁と前記ガス噴出口との間の距離よりも長くなるように、前記インナチューブの側壁が構成されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B , C23C16/455

Fターム (30件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA04 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030JA03 , 4K030KA03 , 4K030KA08 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB31 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF01 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EC02

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-019324
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-121069 出願人：国際電気株式会社

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