特許
J-GLOBAL ID：201003054451025464
半導体デバイスの検査方法および半導体デバイスの検査装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
, 笹原 敏司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008000336
公開番号（公開出願番号）：WO2008-129755
出願日： 2008年02月26日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
検査する半導体デバイス構造に備えられた拡散領域からなる構造Aに対し、パルスレーザ光を照射した場合に発生する電磁波振幅波形の強度と、予め測定しておいた基準品の構造Aにパルスレーザ光を照射したときに放出される電磁波振幅波形の強度を比較し、電磁波検出感度を校正(S14)した後、検査対象の半導体デバイスを検査することで、検査装置の電磁波検出感度ズレが原因となる測定誤差をなくし、精度よく良否判定(S16)を行う。
請求項（抜粋）：
無バイアス状態で保持した複数の拡散領域を有する検査対象の半導体デバイスにおける任意の拡散領域にパルスレーザ光を照射する照射工程と、
前記半導体デバイスのレーザ光照射位置から放射された電磁波を検出し、前記電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換工程と、
前記電圧信号から前記半導体デバイス内の電界分布を検出して故障診断を行う故障診断工程とにより検査する半導体デバイスの検査方法において、
検査対象の半導体デバイスに備えている前記電磁波の検出感度校正用の少なくとも1本の配線のみが接続された拡散領域に前記パルスレーザ光を照射した際に発生する前記電磁波の電場振幅の第1時間波形と、基準品となる半導体デバイスに備えている前記校正用拡散領域に前記パルスレーザ光を照射した際に発生する前記電磁波の電場振幅の第2時間波形とを比較し、
前記第1時間波形の電磁波振幅強度の最大値と、前記第2時間波形の電磁波振幅強度の最大値とが同じになるように、前記電磁波の検出感度を校正した後に、前記検査対象の半導体デバイスを検査する
半導体デバイスの検査方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/66 S
, H01L21/66 N
4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA05
, 4M106CA16
, 4M106CB19
, 4M106DH12
, 4M106DH32
, 4M106DJ18
, 4M106DJ19
