特許

J-GLOBAL ID：201003054953788402

基板モジュールおよびその製造方法

発明者： 高尾 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 島田 明宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-015050
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177235
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】ACFで電子部品を実装するためガラス基板裏面からレーザ光を照射するときにACFを適切な温度に加熱することができる構造を有する基板モジュールを提供する。【解決手段】ガラス基板20上に表示用配線23およびFPC用配線73を設けるほか、LSIチップ40のバンプ電極40aが設けられていないその短辺近傍に、電気的に他と接続されていないベタパターンの加熱用配線24を設ける。この加熱用配線24がレーザ光で加熱されることにより、温度が低くなりやすいLSIチップ40の短辺近傍の温度が低下せずに温度分布が調節され、結果としてACF81を適切な温度に(典型的には均一に)加熱することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

電子部品が異方性導電接着剤によって基板上に実装された基板モジュールであって、 導体パターンが形成された透明基板と、 前記透明基板面上に配置される異方性導電接着剤と、 前記異方性導電接着剤が配置される前記透明基板の表面側から所定の圧着手段で加圧され、前記透明基板の裏面側から照射される光で加熱される前記異方性導電接着剤によって実装される電子部品と を備え、 前記導体パターンは、前記光を吸収することにより前記異方性導電接着剤の温度分布を調節する熱を発する加熱領域を有する加熱パターンを含むことを特徴とする、基板モジュール。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  G02F 1/134 ,  G09F 9/00

FI (3件)：

H01L21/60 311S ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00 348Z

Fターム (28件)：

2H092GA40 ,  2H092GA48 ,  2H092MA32 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F044KK06 ,  5F044KK11 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR12 ,  5G435AA12 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE12 ,  5G435EE32 ,  5G435EE37 ,  5G435EE42 ,  5G435EE44 ,  5G435FF08 ,  5G435GG23 ,  5G435GG42 ,  5G435HH02 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05