特許

J-GLOBAL ID：201003055612075234

炭素表面にナノ粒子を製造させる方法およびそれからの生成物

発明者： ヴェラー・ホースト ,  ヘルナンデス・ビートリッツ ,  コルノヴスキ・アンドレアス ,  クリンケ・クリスチャン ,  ナゲル・モナ
出願人/特許権者： ツェントラム・フューア・アンゲヴァンテ・ナノテヒノロギー(ツェーアーエン)ゲーエムベーハー
代理人 (1件)： 特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-500141
公開番号（公開出願番号）：特表2010-522133
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

少なくとも1種の実質的に官能化されていない炭素表面(例えば、フラーレン、グラファイトまたは非晶質炭素、グラフェンまたは前もって配向されたカーボンナノチューブ)と、少なくとも半導体ナノ粒子(例えば、CdSe、CdTe、CdS、InPおよび/またはZnO)あるいは金属合金ナノ粒子との組み合わせであって、前記少なくとも1種のナノ粒子が前記実質的に官能化されていない炭素表面に直接結合されている組み合わせが記載される。ナノ粒子の製造方法も記載される。本方法は、・カチオン源を第1の有機溶媒に溶解して、カチオン含有媒体を製造すること、・前記カチオン含有媒体に複数の実質的に官能化されていない炭素表面を加えて、カチオン-炭素混合物を形成すること、・前記カチオン含有媒体と炭素表面との混合物にアニオン含有媒体を加えて、カチオン-炭素-アニオン混合物を形成すること、合金ナノ粒子の場合には、別のカチオン媒体が代わりに加えられる、・前記カチオン-炭素-アニオン混合物を、反応系によって、60°C〜300°Cの温度で10分〜1週間放置すること、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の実質的に官能化されていない炭素表面と少なくとも1種のナノ粒子との組み合わせであって、前記少なくとも1種のナノ粒子が前記実質的に官能化されていない炭素表面に直接結合されている組み合わせ。

IPC (10件)：

C01B 31/02 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 33/02 ,  H01L 33/26 ,  H01L 51/42 ,  C01G 9/02 ,  C01B 25/08 ,  C01B 19/04 ,  C01B 31/08

FI (10件)：

C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L33/00 100 ,  H01L33/00 180 ,  H01L31/04 D ,  C01G9/02 B ,  C01B25/08 A ,  C01B19/04 C ,  C01B31/08 Z

Fターム (27件)：

4G047AA02 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD04 ,  4G146AA02 ,  4G146AA06 ,  4G146AA09 ,  4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AA16 ,  4G146AD02 ,  4G146AD03 ,  4G146AD05 ,  4G146AD15 ,  4G146AD17 ,  4G146AD30 ,  4G146CB10 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB22 ,  4G146CB34 ,  5F041CA34 ,  5F041CA41 ,  5F041CA45 ,  5F041CB36 ,  5F051AA10 ,  5F051AA11