新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-262560
公開番号（公開出願番号）：特開2010-215608
出願日： 2009年11月18日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】レジスト溶剤及び樹脂に対する溶解性(相溶性)が十分高く、保存安定性が良好であり、PED安定性があり、焦点深度がより広く、感度が良好であり、特に解像性とパターンプロファイル形状に優れた化学増幅型レジスト材料を与える化学増幅型レジスト材料用として有効な新規スルホン酸塩と光酸発生剤及びこれを用いたレジスト材料、フォトマスクブランク、並びにパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(2)で示されるスルホン酸塩。 R1-COOC(CF3)2-CH2SO3-M+ (2)(式中、R1はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜50の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。M+はカチオンを示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。 HO-C(CF3)2-CH2SO3-M+ (1) (式中、M+はカチオンを示す。)

IPC (9件)：

C07C 309/08 , C07C 381/12 , C07C 303/02 , C07C 309/12 , C07C 25/02 , C09K 3/00 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (10件)：

C07C309/08 , C07C381/12 , C07C303/02 , C07C309/12 , C07C25/02 , C09K3/00 K , G03F7/004 501 , G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (49件)：

2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF27P , 2H125AF38P , 2H125AF70P , 2H125AH05 , 2H125AH06 , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH16 , 2H125AH19 , 2H125AJ04X , 2H125AJ14X , 2H125AJ42X , 2H125AJ43X , 2H125AJ48X , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125AL02 , 2H125AL11 , 2H125AM12P , 2H125AM15P , 2H125AM22P , 2H125AM66P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN42P , 2H125AN51P , 2H125AN57P , 2H125AN88P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA08 , 2H125CA12 , 2H125CB08 , 2H125CB09 , 2H125CB16 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CC17 , 4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB81 , 4H006AC48 , 4H006AC61 , 4H006BB31

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