特許

J-GLOBAL ID：201003058277479839

レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物

発明者： 太宰 尚宏 ,  塩野 大寿 ,  平野 智之 ,  松宮 祐 ,  高木 大地 ,  森 貴敬 ,  土屋 純一
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-006006
公開番号（公開出願番号）：特開2010-164712
出願日： 2009年01月14日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】レジスト組成物の基材成分として新規な高分子化合物、そのモノマー、及び当該高分子化合物を含有するレジスト組成物とそれを用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と酸発生剤成分(B)を含有し、基材成分(A)が、側鎖に、環骨格中にスルホニル基を含む環式基を有するエステル基を有する(メタ)アクリル誘導体単位で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A0)を含有するレジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1-1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/38 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/38 ,  H01L21/30 502R

Fターム (42件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15T ,  4J100BC03R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09T ,  4J100BC53S ,  4J100BC84P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100FA28 ,  4J100GC07 ,  4J100GC17 ,  4J100GC25 ,  4J100GC35 ,  4J100JA38