特許
J-GLOBAL ID：201003058619772363
窒化物半導体発光素子、エピタキシャル基板、及び窒化物半導体発光素子を作製する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-167084
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192865
出願日： 2009年07月15日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】半極性面を有するGaN支持基体上に設けられた発光層を含みミスフィット転位による発光効率の低下を抑制できる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子11は、六方晶系窒化ガリウムからなる支持基体13と、InX1AlY1Ga1-X1-Y1N(0<X1<1、0<Y1<1、X1+Y1<1)層21を含むn型窒化ガリウム系半導体層15と、発光層17と、p型窒化ガリウム系半導体層19とを備える。このInAlGaN層21は半極性主面13aと発光層17との間に設けられる。InAlGaN層21のバンドギャップEが窒化ガリウムのバンドギャップE以上であるので、発光層17へのキャリアと光の閉じ込め効果が提供される。InAlGaN層21のc面Sc2が法線軸Axに対して傾斜しているけれども、c面を主とするすべり面によるミスフィット転位の密度がAlGaNに比べて低減される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
六方晶系窒化ガリウムからなり、該六方晶系窒化ガリウムのc軸に直交する面に対して傾斜した半極性主面を有する支持基体と、
前記支持基体上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、
前記支持基体と前記発光層との間に設けられたInX1AlY1Ga1-X1-Y1N(0<X1<1、0<Y1<1、X1+Y1<1)層と、
p型窒化ガリウム系半導体層と
を備え、
前記支持基体、前記InX1AlY1Ga1-X1-Y1N層、前記発光層及び前記p型窒化ガリウム系半導体層は、前記支持基体の前記半極性面の法線軸に沿って順に配列されており、
前記発光層は、InGaN層を含む量子井戸構造を有し、
前記InX1AlY1Ga1-X1-Y1N層の厚さは前記量子井戸構造の厚さよりも厚く、
前記InX1AlY1Ga1-X1-Y1N層のバンドギャップは六方晶系窒化ガリウムのバンドギャップ以上であり、
前記InX1AlY1Ga1-X1-Y1Nにはn型ドーパントが添加されており、
前記InX1AlY1Ga1-X1-Y1N層のc面は前記法線軸に対して傾斜している、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343 610
, H01L21/205
5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045CA09
, 5F045DA52
, 5F045DA57
, 5F045DA63
, 5F173AA01
, 5F173AF55
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AQ12
, 5F173AR23
, 5F173AR25
, 5F173AR26
, 5F173AR82
