特許

J-GLOBAL ID：201003058725062154

ゲルマニウム単結晶の製造方法

発明者： 米永 一郎 ,  太子 敏則
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-099317
公開番号（公開出願番号）：特開2010-275181
出願日： 2010年04月23日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ10の内部で、ゲルマニウム融液1aの表面の一部または全体を酸化ホウ素(B2O3)融液2aで覆った後、チョクラルスキー法(CZ法)によりゲルマニウム単結晶4を引き上げて結晶成長させる。炉内は、高真空またはアルゴンガス雰囲気である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法(CZ法)によるゲルマニウム(Ge)単結晶の製造方法であって、内壁表面がグラッシーカーボン製、グラファイト製または石英ガラス製のるつぼの内部で、ゲルマニウム融液の表面の一部または全体を酸化ホウ素(B2O3)融液で覆った後、ゲルマニウム単結晶を引き上げて結晶成長させることを、特徴とするゲルマニウム単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/02 ,  C30B 15/10 ,  C30B 15/00 ,  C30B 27/02

FI (4件)：

C30B29/02 ,  C30B15/10 ,  C30B15/00 Z ,  C30B27/02

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BA05 ,  4G077CF10 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EG02 ,  4G077EJ08 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077PA03 ,  4G077PA14 ,  4G077PD01