特許

J-GLOBAL ID：201003058771035358

半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置

発明者： 寺崎 正
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-075412
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232240
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】基板上のシリコンを含む領域を選択的に酸化させて修復する際に、基板上の金属を含む領域の酸化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板200上に絶縁膜102を形成する工程と、絶縁膜102上に、金属を含む電極を形成する工程と、絶縁膜102及び電極に対してエッチング処理を施すことで、絶縁膜102の側壁及び電極105Aの側壁を露出させる工程と、酸素ガス、水素ガス、及び希ガスの混合ガス中における希ガスの割合が40%以上であるその混合ガスを、プラズマ状態とする工程と、露出した絶縁膜102の側壁及び露出した電極105Aの側壁を有する基板200を、プラズマ状態の混合ガスによって酸化処理する工程と、を有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に、金属を含む電極を形成する工程と、 前記絶縁膜及び前記電極に対してエッチング処理を施すことで、前記絶縁膜の側壁及び前記電極の側壁を露出させる工程と、 前記酸素ガス、前記水素ガス、及び前記希ガスの混合ガス中における前記希ガスの割合が40%以上である該混合ガスを、プラズマ状態とする工程と、 露出した前記絶縁膜の側壁及び露出した前記電極の側壁を有する前記基板を、前記プラズマ状態の前記混合ガスによって酸化処理する工程と、を有する 半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L21/316 A ,  H01L21/31 A

Fターム (19件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ04