特許

J-GLOBAL ID：201003058847138895

光学面および光学配置上の汚染を除去する方法

発明者： エーム,ディルク・ハインリヒ ,  モーアス,ヨハネス・ウベルトゥス・ヨセフィーナ ,  ウォルスレイン,バスティアーン・テオドール ,  バニネ,ヴァディム ,  イヴァノフ,ウラディミール・ヴィタレビッチ
出願人/特許権者： カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー ,  エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ヴイ.
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-537522
公開番号（公開出願番号）：特表2010-510679
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

本発明は、光学配置における真空環境内、好ましくはEUVリソグラフィ用の投影露光装置(1)内に配置されている光学面(26)上の汚染を除去するための方法に関するものであり、この方法は、真空環境内で分子状水素(18)および少なくとも1つの種類の不活性ガス(17)を含む残留ガス雰囲気を生成する工程、不活性ガス(17)をイオン化することにより、好ましくはEUV放射(20)を使って、不活性ガス・イオン(21)を生成する工程、および汚染を除去するために残留ガス雰囲気中で不活性ガス・イオン(21)を加速することにより原子状水素(27)を生成する工程を含む。本発明は、さらに、関連する光学配置にも関する。選択図 図2

請求項（抜粋）：

真空環境内、好ましくはEUVリソグラフィ用の投影露光装置(1)内に配置されている光学面(26)上の汚染を除去する方法であって、 前記真空環境内において分子状水素(18)および少なくとも1つの種類の不活性ガス(17)を含む残留ガス雰囲気を生成する工程と、 前記不活性ガス(17)のイオン化により、好ましくはEUV放射(20)を使って不活性ガス・イオン(21)を生成する工程と、 前記残留ガス雰囲気中で前記不活性ガス・イオン(21)を加速することにより原子状水素(27)を生成する工程とを含む、光学面上の汚染を除去する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (4件)：

H01L21/30 503G ,  H01L21/30 516F ,  H01L21/30 531A ,  G03F7/20 503

Fターム (6件)：

2H097BA04 ,  2H097CA15 ,  5F046AA22 ,  5F046DA27 ,  5F046GA07 ,  5F046GB01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-289648   出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ
• 光学要素上の付着物の除去方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及びこれによって製造されたデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-028417   出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ
• 放電発生器を備えたリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の素子を洗浄する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-249166   出願人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
• 洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-543220   出願人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
• リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-001119   出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ