特許
J-GLOBAL ID:201003059076558052
表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-209050
公開番号(公開出願番号):特開2010-092037
出願日: 2009年09月10日
公開日(公表日): 2010年04月22日
要約:
【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。【解決手段】ゲート電極15を被覆するゲート絶縁層37と、ゲート絶縁層37上においてゲート電極15と端部が重畳し、第2酸化物半導体層40と導電層41が積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39と、少なくともゲート電極15と重畳しゲート絶縁層37及び該第1配線層38及び該第2配線層39における導電層41の側面部及び上面部の一部と第2酸化物半導体層40の側面部と接する第1酸化物半導体層36とを有する非線形素子30aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層37上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子30aの特性を向上させることができる。【選択図】図5
請求項(抜粋):
絶縁表面を有する基板上に走査線と信号線が交差して設けられ、画素電極がマトリクス状に配列する画素部を有する表示装置であって、
前記画素部は、第1酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、前記走査線と接続するゲート電極と、前記信号線と接続し前記第1酸化物半導体層に接する第1配線層と、前記画素電極と接続し前記第1酸化物半導体層に接する第2配線層とを有し、
前記基板の周辺部に配設される信号入力端子と前記画素部の間には、非線形素子が設けられ、前記非線形素子は、ゲート電極及び該ゲート電極を被覆するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上において前記ゲート電極と端部が重畳し、第2酸化物半導体層と導電層が積層された一対の第1配線層及び第2配線層と、少なくとも前記ゲート電極と重畳し前記ゲート絶縁層及び該第1配線層及び該第2配線層における導電層の側面部及び上面部と第2酸化物半導体層の側面部と接する第1酸化物半導体層とを有し、
前記非線形素子のゲート電極は前記走査線又は前記信号線と接続され、前記非線形素子の第1配線層又は第2配線層が、前記ゲート電極の電位が第1配線層又は第2配線層に印加されるように第3配線層によって前記ゲート電極に接続されていることを特徴とする表示装置。
IPC (14件):
G09F 9/30
, H01L 29/786
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 21/768
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 29/417
, H01L 21/28
, H01L 51/50
, H05B 33/14
, G02F 1/136
, H01L 27/32
, G09F 9/37
FI (16件):
G09F9/30 349Z
, H01L29/78 612C
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618G
, H01L29/78 623A
, H01L27/04 H
, H01L21/90 A
, H01L29/58 G
, H01L29/50 M
, H01L21/28 301R
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
, G02F1/1368
, G09F9/30 338
, G09F9/30 365Z
, G09F9/37 Z
Fターム (187件):
2H092GA43
, 2H092GA48
, 2H092GA50
, 2H092GA59
, 2H092JA26
, 2H092JA46
, 2H092JB43
, 2H092JB79
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA08
, 2H092MA05
, 2H092NA14
, 2H092NA18
, 2H092NA21
, 3K107AA01
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, 4M104AA03
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, 5F110QQ06
, 5F110QQ08
, 5F110QQ09
引用特許: